Analytic modeling of breakdown voltage shift in the CMOS buried multiple junction detector - WP1: Méthodes et instrumentations innovantes en radiothérapies
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2020

Analytic modeling of breakdown voltage shift in the CMOS buried multiple junction detector

Domaines

Electronique
Fichier principal
Vignette du fichier
S0038110119302047.pdf (661.51 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-02463250 , version 1 (21-12-2021)

Licence

Identifiants

Citer

Thais Luana Vidal de Negreiros da Silva, Pascal Kleimann, Patrick Pittet, Guo-Neng Lu. Analytic modeling of breakdown voltage shift in the CMOS buried multiple junction detector. Solid-State Electronics, 2020, 164, pp.107682. ⟨10.1016/j.sse.2019.107682⟩. ⟨hal-02463250⟩
54 Consultations
54 Téléchargements

Altmetric

Partager

More